集成電路的發(fā)展及分類

　　集成電路(Integrated circuit，縮寫IC)相對于分立式半導(dǎo)體器件(Discreted Semiconductor)而言，它把若干個不同或相同功能的單元集中加工在一個基晶片上而形成具有一定功能的器件。

　　起源于20世紀(jì)60年代初期，是在一塊極小的硅單晶片上，利用半導(dǎo)體工藝技術(shù)將許多半導(dǎo)體二極管、三極管、電阻器、電容器等元件連接成能完成特定電子技術(shù)功能的電子電路，然后封裝在一個便于安裝的外殼中，便構(gòu)成了集成電路。

　　集成電路實現(xiàn)了元件、電路和系統(tǒng)的三結(jié)合，在經(jīng)過了四十年的發(fā)展后已迅速成為促進計算機、通信、控制以及整個電子工業(yè)發(fā)展的重要器件。

◇特點◇

　　●　高密度
　　●　高頻率
　　●　高可靠性
　　●　低功耗
　　●　低工作電壓
　　●　多功能組合

◇分類◇

1、按工藝分類：
　　TTL：晶體管一晶體管邏輯電路
　　MOS：金屬氧化物半導(dǎo)體
　　CMOS：互補金屬氧化物半導(dǎo)體
　　HMOS：高性能金屬氧化物半導(dǎo)體
　　HCMOS：高速CMOS
　　BICMOS：雙極型CMOS
　　ECL：發(fā)射極耦合邏輯電路
　　TLM：三層金屬化

2、按工作狀態(tài)分類：
　　線性電路、脈沖電路

3、按產(chǎn)品等級分類：
　　商業(yè)級：C (適用于室內(nèi)工作，工作溫度為0℃一70℃)
　　工業(yè)級：I (適用于比較惡劣的工業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)場及可靠性要求較高的場合，工作溫度為一40℃一85℃)
　　軍用級：M (適用于工作環(huán)境惡劣，即工作溫度、濕度變化大，可能受到中子、離子輻射，承受超重或失重，且可靠性要求十分高的系統(tǒng)中，工作溫度為一55℃一125℃)
　　(＊注：軍用級說明)
　　軍用級集成電路又分為三級：
　　第一級軍用標(biāo)準(zhǔn)為MII。一STD一883C是最低一級，此類器件可用在非嚴格、非戰(zhàn)術(shù)的應(yīng)用場合。
　　第二級軍用標(biāo)準(zhǔn)是標(biāo)準(zhǔn)軍用圖樣(Standard Military Drawing，SMD，由美國國防電子器材供應(yīng)中心(Defense Electronics Supply Center,DESC)提供，SMD的指標(biāo)由DESC控制而不是由制造商控制。
　　第三級也是最高一級軍用標(biāo)準(zhǔn)，是美國陸、海軍統(tǒng)一規(guī)格(Joint Army—Navyspecification,JAN)。JAN級器件保證在各種環(huán)境下的可靠性，可用于戰(zhàn)場設(shè)備等。

4、按用途分類：
　　(1)音頻、視頻集成電路(音頻放大器、音頻／射頻信號處理器、視頻電路、彩色電視電路、音頻數(shù)字電路、特殊電路)

　　(2)數(shù)字集成電路(觸發(fā)器、門電路、解碼器、延時器、計數(shù)器、時鐘/多諧振蕩器、分頻器、加法器、乘法器、幅值比較器、算術(shù)邏輯單元、先行進位發(fā)生器、奇偶位發(fā)生器/檢查器、銷存器、特殊器件即誤差檢測校驗和特殊邏輯電路)

　　(3)線性集成電路（放大器、模擬信號處理器、電機控制電路、運算放大器、鎖相環(huán)、電源管理器件、射頻/中頻放大器、傳感器電路、通信器件、定時器、晶體管矩陣、電壓比較器、電壓基準(zhǔn)器件、寬帶放大器、特殊功能器件)

　　(4)微處理器(微處理器、控制器、數(shù)據(jù)傳送、專用支持芯片、一般支持芯片)

　　(5)存儲器(讀寫存儲器RAM、只讀存儲器ROM、字符發(fā)生器、可編程邏輯集成電路、代碼轉(zhuǎn)換器、移位寄存器、特殊存儲器件即按內(nèi)容尋址存儲器、先進先出存儲器、動態(tài)存儲器控制器)

　　(6)接口電路(緩沖器/驅(qū)動器、線路驅(qū)動器/發(fā)射器、存儲器/時鐘驅(qū)動器、外設(shè)電源驅(qū)動器、顯示驅(qū)動器、開關(guān)驅(qū)動器、A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、電平轉(zhuǎn)換器、模擬開關(guān)、模擬多工器、數(shù)字多工選擇器、數(shù)字信號分離器解碼器、線路接收器、讀出放大器、取樣保持器、史密特觸發(fā)器、特殊器件即奇偶解碼器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng))